- 集積回路(IC)は英語でintegrated circuit /ˈɪntɪɡreɪtɪd ˈsɜːrkɪt/。
例文: An integrated circuit packs many transistors.
集積回路は多数のトランジスタを詰め込む。
- 半導体チップは英語でchip /tʃɪp/。
例文: The chip controls the whole device.
そのチップが機器全体を制御する。
- ウェハーは英語でwafer /ˈweɪfər/。
例文: Chips are cut from a silicon wafer.
チップはシリコンウェハーから切り出される。
- ダイ・素子片は英語でdie /daɪ/。
例文: Each die becomes one chip.
各ダイが1つのチップになる。
- 電界効果トランジスタ(MOSFET)は英語でMOSFET /ˈmɒsfet/。
例文: The MOSFET is the basic switch in chips.
MOSFETはチップの基本的なスイッチだ。
- 発光ダイオード(LED)は英語でLED /ˌel iː ˈdiː/。
例文: LEDs are efficient light sources.
LEDは効率の良い光源だ。
- n型半導体は英語でn-type /ˈen taɪp/。
例文: N-type silicon has extra electrons.
n型シリコンは余分な電子を持つ。
- p型半導体は英語でp-type /ˈpiː taɪp/。
例文: P-type silicon has electron holes.
p型シリコンは電子の抜け穴を持つ。
- ドーパント・不純物は英語でdopant /ˈdoʊpənt/。
例文: Boron is a common dopant.
ホウ素は代表的なドーパントだ。
- バンドギャップは英語でband gap /ˈbænd ɡæp/。
例文: The band gap sets the material's behavior.
バンドギャップが材料の性質を決める。
- ゲート(電極)は英語でgate /ɡeɪt/。
例文: Voltage on the gate controls the current.
ゲートにかける電圧が電流を制御する。
- ランダムアクセスメモリ(RAM)は英語でRAM /ræm/。
例文: RAM holds data while the computer runs.
RAMはコンピュータ稼働中のデータを保持する。
- 読み出し専用メモリ(ROM)は英語でROM /rɒm/。
例文: ROM stores permanent firmware.
ROMは恒久的なファームウェアを格納する。
- 動的RAM(DRAM)は英語でDRAM /ˈdiːræm/。
例文: DRAM must be refreshed constantly.
DRAMは絶えずリフレッシュが必要だ。
- 静的RAM(SRAM)は英語でSRAM /ˈesræm/。
例文: SRAM is fast but expensive.
SRAMは高速だが高価だ。
- フラッシュメモリは英語でflash memory /flæʃ ˈmeməri/。
例文: Flash memory keeps data without power.
フラッシュメモリは電源なしでデータを保持する。
- NANDフラッシュは英語でNAND flash /ˈnænd flæʃ/。
例文: NAND flash stores data in SSDs.
NANDフラッシュはSSDのデータを格納する。
- NORフラッシュは英語でNOR flash /ˈnɔːr flæʃ/。
例文: NOR flash allows fast random reads.
NORフラッシュは高速なランダム読み出しが可能だ。
- 強誘電体メモリ(FeRAM/FRAM)は英語でFRAM /ˈefræm/。
例文: FRAM is fast and non-volatile.
FRAMは高速かつ不揮発だ。
- 磁気抵抗メモリ(MRAM)は英語でMRAM /ˈemræm/。
例文: MRAM stores bits magnetically.
MRAMはビットを磁気的に記憶する。
- 電気的消去可能ROM(EEPROM)は英語でEEPROM /ˌiː ˈiːprɒm/。
例文: EEPROM can be erased electrically.
EEPROMは電気的に消去できる。
- 揮発性メモリは英語でvolatile memory /ˈvɒlətaɪl ˈmeməri/。
例文: Volatile memory loses data when powered off.
揮発性メモリは電源を切るとデータを失う。
- 不揮発性メモリは英語でnon-volatile memory /ˌnɒn ˈvɒlətaɪl ˈmeməri/。
例文: Non-volatile memory retains data.
不揮発性メモリはデータを保持する。
- 中央処理装置(CPU)は英語でCPU /ˌsiː piː ˈjuː/。
例文: The CPU executes program instructions.
CPUはプログラムの命令を実行する。
- 画像処理装置(GPU)は英語でGPU /ˌdʒiː piː ˈjuː/。
例文: A GPU accelerates graphics and AI.
GPUは描画とAI計算を高速化する。
- マイクロプロセッサは英語でmicroprocessor /ˌmaɪkroʊˈprɒsesər/。
例文: A microprocessor is a CPU on one chip.
マイクロプロセッサは1チップ化したCPUだ。
- システムオンチップ(SoC)は英語でSoC /ˌes oʊ ˈsiː/。
例文: A smartphone uses a single SoC.
スマートフォンは1つのSoCを使う。
- コアは英語でcore /kɔːr/。
例文: This CPU has eight cores.
このCPUは8コアを持つ。
- クロック周波数は英語でclock speed /klɒk spiːd/。
例文: Higher clock speed means faster work.
クロック周波数が高いほど処理が速い。
- 命令セットは英語でinstruction set /ɪnˈstrʌkʃən set/。
例文: ARM uses a different instruction set.
ARMは異なる命令セットを使う。
- 書き換え可能ロジック(FPGA)は英語でFPGA /ˌef piː dʒiː ˈeɪ/。
例文: An FPGA can be reprogrammed in the field.
FPGAは現場で再プログラムできる。
- 特定用途集積回路(ASIC)は英語でASIC /ˈeɪsɪk/。
例文: An ASIC is built for a single task.
ASICは単一用途向けに作られる。
- AI処理ユニット(NPU)は英語でNPU /ˌen piː ˈjuː/。
例文: The NPU speeds up neural networks.
NPUはニューラルネットワークを高速化する。
- 製造・ファブは英語でfabrication /ˌfæbrɪˈkeɪʃən/。
例文: Chip fabrication needs a clean room.
チップ製造にはクリーンルームが必要だ。
- フォトリソグラフィは英語でphotolithography /ˌfoʊtoʊlɪˈθɑːɡrəfi/。
例文: Photolithography prints the circuit pattern.
フォトリソグラフィが回路パターンを焼き付ける。
- エッチングは英語でetching /ˈetʃɪŋ/。
例文: Etching removes unwanted material.
エッチングは不要な材料を除去する。
- イオン注入は英語でion implantation /ˈaɪɑːn ˌɪmplænˈteɪʃən/。
例文: Ion implantation dopes the silicon.
イオン注入がシリコンに不純物を添加する。
- フォトレジストは英語でphotoresist /ˌfoʊtoʊrɪˈzɪst/。
例文: Light hardens the photoresist.
光がフォトレジストを硬化させる。
- フォトマスクは英語でphotomask /ˈfoʊtoʊmæsk/。
例文: The photomask defines the pattern.
フォトマスクがパターンを規定する。
- クリーンルームは英語でclean room /ˈkliːn ruːm/。
例文: Chips are made in a clean room.
チップはクリーンルームで作られる。
- プロセスノードは英語でprocess node /ˈprɑːses noʊd/。
例文: The chip uses a five-nanometer node.
そのチップは5ナノメートルのノードを使う。
- ナノメートルは英語でnanometer /ˈnænoʊˌmiːtər/。
例文: Transistors are only a few nanometers wide.
トランジスタの幅はわずか数ナノメートルだ。
- パッケージング・封止は英語でpackaging /ˈpækɪdʒɪŋ/。
例文: Packaging protects the bare die.
パッケージングはむき出しのダイを保護する。
- ダイシング(切断)は英語でdicing /ˈdaɪsɪŋ/。
例文: Dicing cuts the wafer into chips.
ダイシングはウェハーを切ってチップに分ける。
- アニール・熱処理は英語でannealing /əˈniːlɪŋ/。
例文: Annealing repairs the crystal lattice.
アニールは結晶格子を修復する。
- エピタキシャル成長は英語でepitaxy /ˈepɪtæksi/。
例文: Epitaxy grows a clean crystal layer.
エピタキシは清浄な結晶層を成長させる。
- ファウンドリ(受託製造)は英語でfoundry /ˈfaʊndri/。
例文: TSMC is a leading semiconductor foundry.
TSMCは大手の半導体ファウンドリだ。
- ファブレスは英語でfabless /ˈfæbləs/。
例文: A fabless firm designs chips but does not make them.
ファブレス企業はチップを設計するが製造はしない。
- 垂直統合型メーカー(IDM)は英語でIDM /ˌaɪ diː ˈem/。
例文: Intel is a classic IDM.
インテルは典型的なIDMだ。
- テープアウト(設計完了)は英語でtape-out /ˈteɪp aʊt/。
例文: The chip design reached tape-out.
チップ設計はテープアウトに到達した。
- 電子設計自動化(EDA)は英語でEDA /ˌiː diː ˈeɪ/。
例文: EDA tools design the circuits.
EDAツールが回路を設計する。
- ムーアの法則は英語でMoore's law /ˈmʊrz lɔː/。
例文: Moore's law predicts shrinking transistors.
ムーアの法則はトランジスタの微細化を予測する。
- サプライチェーンは英語でsupply chain /səˈplaɪ tʃeɪn/。
例文: A chip shortage disrupted the supply chain.
チップ不足がサプライチェーンを混乱させた。
- 化学蒸着（CVD）は英語でchemical vapor deposition /ˈkɛmɪkəl ˈveɪpər ˌdɛpəˈzɪʃən/（名詞）。
例文: Chemical vapor deposition grows thin films from gaseous reactants.
化学蒸着(CVD)は、気体の反応物から薄膜を成長させる。
- 原子層堆積（ALD）は英語でatomic layer deposition /əˈtɒmɪk ˈleɪər ˌdɛpəˈzɪʃən/（名詞）。
例文: Atomic layer deposition builds films one atomic layer at a time.
原子層堆積は、一度に原子1層分ずつ薄膜を形成する。
- 化学的機械研磨（CMP）は英語でchemical mechanical polishing /ˈkɛmɪkəl mɪˈkænɪkəl ˈpɒlɪʃɪŋ/（名詞）。
例文: Chemical mechanical polishing flattens the wafer surface between layers.
化学的機械研磨(CMP)は、層と層の間でウェハー表面を平坦化する。
- 反応性イオンエッチング（RIE）は英語でreactive ion etching /riˈæktɪv ˈaɪən ˈɛtʃɪŋ/（名詞）。
例文: Reactive ion etching combines plasma chemistry with ion bombardment to cut precise patterns.
反応性イオンエッチングは、プラズマ化学とイオン衝撃を組み合わせて精密なパターンを削り出す。
- 限界寸法（CD）は英語でcritical dimension /ˈkrɪtɪkəl dɪˈmɛnʃən/（名詞）。
例文: Engineers monitor the critical dimension to keep every transistor the same size.
エンジニアは、すべてのトランジスタを同じサイズに保つため、クリティカルディメンション(限界寸法)を監視している。
- 重ね合わせ精度（オーバーレイ精度）は英語でoverlay accuracy /ˈoʊvərleɪ ˈækjərəsi/（名詞）。
例文: Poor overlay accuracy misaligns one layer's pattern with the layer below it.
重ね合わせ精度が低いと、ある層のパターンがその下の層とずれてしまう。
- しきい値電圧は英語でthreshold voltage /ˈθrɛʃhoʊld ˈvoʊltɪdʒ/（名詞）。
例文: The transistor turns on once the gate voltage exceeds the threshold voltage.
ゲート電圧がしきい値電圧を超えると、トランジスタはオンになる。
- ゲート酸化膜は英語でgate oxide /ɡeɪt ˈɒksaɪd/（名詞）。
例文: A thinner gate oxide lets the transistor switch faster but leaks more current.
ゲート酸化膜を薄くすると、トランジスタはより高速にスイッチングできるが、リーク電流は増加する。
- high-k絶縁膜（高誘電率材料）は英語でhigh-k dielectric /haɪ keɪ ˌdaɪəˈlɛktrɪk/（名詞）。
例文: A high-k dielectric replaced silicon dioxide to cut gate leakage.
high-k絶縁膜が、ゲートのリーク電流を減らすために二酸化ケイ素に取って代わった。
- low-k絶縁膜（低誘電率材料）は英語でlow-k dielectric /loʊ keɪ ˌdaɪəˈlɛktrɪk/（名詞）。
例文: Low-k dielectric between metal wires reduces unwanted capacitance.
金属配線間のlow-k絶縁膜は、不要な静電容量を低減する。
- 配線（インターコネクト）は英語でinterconnect /ˌɪntərkəˈnɛkt/（名詞）。
例文: Copper interconnects carry signals between millions of transistors.
銅配線(インターコネクト)は、何百万ものトランジスタ間で信号を伝える。
- 前工程（FEOL、トランジスタ形成工程）は英語でfront-end-of-line /frʌnt ɛnd əv laɪn/（名詞）。
例文: Front-end-of-line covers every step up through transistor formation.
前工程（FEOL）は、トランジスタが形成されるまでの全ての工程を含む。
- 後工程（BEOL、配線形成工程）は英語でback-end-of-line /bæk ɛnd əv laɪn/（名詞）。
例文: Back-end-of-line builds the metal layers that wire the transistors together.
後工程（BEOL）は、トランジスタ同士を配線でつなぐ金属層を構築する。
- デザインルールチェック（DRC）は英語でdesign rule check /dɪˈzaɪn ruːl tʃɛk/（名詞）。
例文: The layout must pass a design rule check before it can be manufactured.
そのレイアウトは、製造される前にデザインルールチェックに合格しなければならない。
- 半導体メーカーは英語でchipmaker /ˈtʃɪpˌmeɪkər/（名詞）。
例文: The chipmaker announced record profits this quarter.
その半導体メーカーは今四半期、過去最高益を発表した。
- ファブ（半導体工場、fabricationの略）は英語でfab /fæb/（名詞）。
例文: The company is building a new fab in Arizona.
その企業はアリゾナ州に新しい半導体工場(ファブ)を建設している。
- 半導体不足は英語でchip shortage /tʃɪp ˈʃɔːrtɪdʒ/（名詞）。
例文: The chip shortage delayed car deliveries for months.
半導体不足により、自動車の納車が数か月遅れた。
- 輸出規制は英語でexport control /ˈɛkspɔːrt kənˈtroʊl/（名詞）。
例文: Export controls restrict the sale of advanced chipmaking tools abroad.
輸出規制により、先進的な半導体製造装置の海外への販売が制限されている。
- エンティティリスト（米国の輸出禁止リスト）は英語でentity list /ˈɛntɪti lɪst/（名詞）。
例文: Being added to the entity list cut the firm off from US suppliers.
エンティティリストに追加されたことで、その企業は米国のサプライヤーから遮断された。
- リショアリング（生産の国内回帰）は英語でreshoring /ˌriːˈʃɔːrɪŋ/（名詞）。
例文: Reshoring aims to bring chip production back to domestic soil.
リショアリングは、半導体の生産を自国内に呼び戻すことを目指すものだ。
- 自給自足（半導体の自国生産能力）は英語でself-sufficiency /ˌsɛlfsəˈfɪʃənsi/（名詞）。
例文: The country is investing heavily to reach chip self-sufficiency.
その国は半導体の自給自足を実現するために巨額の投資を行っている。
- 競合企業・ライバルは英語でrival /ˈraɪvəl/（名詞）。
例文: The two rivals are racing to release the faster chip.
その2つのライバルは、より高速なチップを発売しようと競い合っている。
- 優位性・支配的地位は英語でdominance /ˈdɒmɪnəns/（名詞）。
例文: The company's dominance in memory chips is being challenged.
その企業のメモリーチップ市場における優位性は、今や脅かされつつある。
- 最先端のは英語でcutting-edge /ˈkʌtɪŋ edʒ/（形容詞）。
例文: The factory produces some of the world's most cutting-edge chips.
その工場は、世界最先端のチップの一部を生産している。
- 半導体戦争（米中を中心とした技術覇権争い）は英語でchip war /tʃɪp wɔːr/（名詞）。
例文: The chip war has pushed countries to protect their own supply chains.
半導体戦争によって、各国は自国のサプライチェーンを守らざるを得なくなっている。
- ギガファブ（超大型の半導体工場）は英語でgigafab /ˈdʒɪɡəfæb/（名詞）。
例文: The gigafab will produce hundreds of thousands of wafers a month.
そのギガファブは月に数十万枚のウェハーを生産する予定だ。
- EUVリソグラフィ（極端紫外線露光）は英語でEUV lithography /ˌiː juː ˈviː lɪˈθɒɡrəfi/（名詞）。
例文: EUV lithography uses 13.5-nanometer light to print the tiniest features.
EUVリソグラフィは、波長13.5ナノメートルの光を使って最も微細なパターンを焼き付ける。
- 液浸露光は英語でimmersion lithography /ɪˈmɜːrʒən lɪˈθɒɡrəfi/（名詞）。
例文: Immersion lithography puts a layer of water between the lens and the wafer to boost resolution.
液浸露光は、レンズとウェハーの間に水の層を入れることで解像度を高める。
- マルチパターニング（多重露光）は英語でmulti-patterning /ˈmʌlti ˈpætərnɪŋ/（名詞）。
例文: Multi-patterning splits one dense layer into several easier exposures.
マルチパターニングは、密度の高い1つの層を、より扱いやすい複数の露光工程に分割する。
- 開口数（NA）は英語でnumerical aperture /njuːˈmɛrɪkəl ˈæpərtʃər/（名詞）。
例文: A higher numerical aperture lets the lens resolve finer patterns.
開口数が高いほど、レンズはより細かいパターンを解像できる。
- ペリクル（レチクル保護膜）は英語でpellicle /ˈpɛlɪkəl/（名詞）。
例文: A pellicle keeps dust particles from landing directly on the reticle.
ペリクルは、ちりの粒子がレチクルに直接付着するのを防ぐ。
- レチクル（マスク原版）は英語でreticle /ˈrɛtɪkəl/（名詞）。
例文: Light passes through the reticle to project the circuit pattern onto the wafer.
光がレチクルを通過することで、回路パターンがウェハー上に投影される。
- 確率的欠陥（EUV露光特有のランダムな欠陥）は英語でstochastic defects /stəˈkæstɪk ˈdiːfɛkts/（名詞）。
例文: Stochastic defects appear randomly even when the exposure dose looks fine on average.
確率的欠陥は、平均的な露光量が問題なく見えても、ランダムに発生する。
- ラインエッジラフネス（配線端の微細な凹凸）は英語でline edge roughness /laɪn ɛdʒ ˈrʌfnəs/（名詞）。
例文: Line edge roughness gets harder to control as features shrink.
微細化が進むにつれて、ラインエッジラフネスの制御はより難しくなる。
- FinFET（フィン型トランジスタ）は英語でFinFET /ˈfɪnfɛt/（名詞）。
例文: The FinFET wraps the gate around three sides of a raised silicon fin.
FinFETは、突き出たシリコンのフィンの3つの側面をゲートで囲む構造になっている。
- ゲートオールアラウンド（GAA、ゲートが全周を囲む構造）は英語でgate-all-around /ɡeɪt ɔːl əˈraʊnd/（名詞）。
例文: Gate-all-around transistors surround the channel on all sides for better control.
ゲートオールアラウンド型のトランジスタは、より優れた制御を実現するためチャネルを全方向から取り囲んでいる。
- ナノシートトランジスタは英語でnanosheet transistor /ˈnænoʊʃiːt trænˈzɪstər/（名詞）。
例文: The nanosheet transistor stacks thin horizontal sheets of silicon for the channel.
ナノシートトランジスタは、チャネルのために薄いシリコンの水平シートを積み重ねた構造になっている。
- 裏面電力供給は英語でbackside power delivery /ˈbæksaɪd ˈpaʊər dɪˈlɪvəri/（名詞）。
例文: Backside power delivery moves the power wiring to the back of the wafer to free up space on top.
裏面電力供給は、電源配線をウェハーの裏側に移すことで、表側のスペースを空ける。
- ハイブリッドボンディング（異種チップの直接接合技術）は英語でhybrid bonding /ˈhaɪbrɪd ˈbɒndɪŋ/（名詞）。
例文: Hybrid bonding connects two chips directly through copper pads without solder bumps.
ハイブリッドボンディングは、はんだバンプを使わずに銅のパッドを通して2つのチップを直接接続する。
- シリコン貫通電極（TSV）は英語でthrough-silicon via /θruː ˈsɪlɪkən ˈvaɪə/（名詞）。
例文: A through-silicon via lets signals pass straight through a stacked chip.
シリコン貫通電極(TSV)により、積層されたチップの中を信号がまっすぐ通り抜けられる。
- デナードスケーリング（微細化に伴う省電力則）は英語でDennard scaling /ˈdɛnərd ˈskeɪlɪŋ/（名詞）。
例文: Dennard scaling broke down once transistors got too small to keep power density constant.
トランジスタが小さくなりすぎて電力密度を一定に保てなくなると、デナードスケーリングは成り立たなくなった。
- ワイドバンドギャップ半導体は英語でwide bandgap semiconductor /waɪd ˈbændɡæp ˌsɛmɪkənˈdʌktər/（名詞）。
例文: Wide bandgap semiconductors handle higher voltages and temperatures than silicon.
ワイドバンドギャップ半導体は、シリコンよりも高い電圧と温度に耐えることができる。
- 炭化ケイ素（SiC）は英語でsilicon carbide /ˌsɪlɪkən ˈkɑːrbaɪd/（名詞）。
例文: Silicon carbide is replacing silicon in high-power electric vehicle inverters.
炭化ケイ素は高出力の電気自動車用インバーターにおいてシリコンに取って代わりつつある。
- 空乏層は英語でdepletion region /dɪˈpliːʃən ˈriːdʒən/（名詞句）。
例文: In a p-n junction, the depletion region contains almost no mobile charge carriers and acts like an insulating layer.
pn接合では、空乏層にはほとんど可動キャリアがなく、絶縁層のように振る舞う。
- 順方向バイアスは英語でforward bias /ˈfɔːrwərd ˈbaɪəs/（名詞句）。
例文: A silicon diode starts to conduct noticeably when the forward bias reaches about 0.6 to 0.7 volts.
シリコンダイオードは、順方向バイアスが約0.6〜0.7ボルトに達すると目に見えて導通し始める。
- 逆方向バイアスは英語でreverse bias /rɪˈvɜːrs ˈbaɪəs/（名詞句）。
例文: Under reverse bias, only a tiny leakage current flows through a diode until breakdown occurs.
逆方向バイアスでは、降伏が起こるまでは、ダイオードにはごくわずかな漏れ電流しか流れない。
- キャリア(電荷担体)は英語でcharge carrier /ˈtʃɑːrdʒ ˈkæriər/（名詞句）。
例文: In an n-type semiconductor the majority charge carriers are electrons, while in a p-type they are holes.
n型半導体では多数キャリアは電子であり、p型では正孔である。
- 伝導帯は英語でconduction band /kənˈdʌkʃən bænd/（名詞句）。
例文: An electron in the conduction band can move freely through the crystal and carry current.
伝導帯にある電子は、結晶中を自由に動いて電流を運ぶことができる。
- 価電子帯は英語でvalence band /ˈveɪləns bænd/（名詞句）。
例文: At absolute zero, the valence band of a pure semiconductor is completely filled with electrons.
絶対零度では、純粋な半導体の価電子帯は電子で完全に満たされている。
- バイポーラトランジスタは英語でbipolar junction transistor /baɪˈpoʊlər ˈdʒʌŋkʃən trænˈzɪstər/（名詞句）。
例文: A bipolar junction transistor amplifies a small base current into a much larger collector current.
バイポーラトランジスタは、小さなベース電流を、はるかに大きなコレクタ電流に増幅する。